Programmé en UV1 MAJ ELP
Présentation :
Cet enseignement fournit les premières bases pour la compréhension
du fonctionnement physique des dispositifs de l'électronique et pour l'établissement de modèles élémentaires. Ces modèles permettent de décrire le comportement des circuits comportant ces composants.
Ce module est constitué d'une base commune à tous les étudiants de la Majeure et de TP et/ou BE spécifiques aux parcours de Majeure.
Les objectifs de formation de ce module sont de deux ordres :
· fournir aux élèves-ingénieurs une culture générale sur les phénomènes physiques essentiels mis en jeu dans le traitement de l'information et sur les modélisation des composants
· préparer les enseignements d'analyse et de synthèse (électronique analogique et numérique) sur les dispositifs pratiques.
Objectifs pédagogiques :
- Être capable de maîtriser les concepts, grandeurs physiques, relations intervenant dans la compréhension et l'exploitation d'un effet physique présenté en cours
- Être capable de retrouver rapidement et savoir utiliser un modèle mathématique nécessaire à l'analyse d'un problème simple
- Être capable de donner des ordres de grandeurs numériques associées aux grandeurs physiques
Pré-requis :
- électrostatique : charges, champ, potentiel, énergie
- analyse des circuits (tensions, courants)
- cours TC121A (de la micro à la nano)
Liens :
Electronique analogique
Electronique numérique
Volume horaire :
21h
Contenu détaillé :
Cours 1 : Transistor bipolaire
- définition
- effet amplificateur
- Modèle Ebers et Moll
- Montée en fréquence
PC1 : Utilisation du modèle d'Ebers et Moll
TP1 : SIMULATION
Transistor bipolaire et MOS
Cours 2 : Transistor MOS
-principe
-caractéristique
-modèles interrupteurs et "petit signal"
PC2 : inverseur CMOS
Cours 3 et 4 : éléments de technologies
-mouvement des charges
-fabrication des transistors
Cours 5 : Interaction lumière/semiconducteur
PC3 : Photodiode
Le reste du module est spécifique aux parcours de majeure.
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Suivant les parcours, les étudiants suivront des activités différentes.
Pour le parcours 2 "Réseaux sans-fil à haut débit"
BE1 : à l'intérieur de la puce
permettra de d'observer et comprendre les technologies sur AsGa.
Cette technologie permet de réaliser des circuits très rapides pour les fonctions hyperfréquence.
Pour les parcours 1 "Capteurs bio-médicaux"
et 3 "afficheurs du futur"
BE1 : à l'intérieur de la puce
permettra de d'observer et comprendre les technologies sur Silicium.
Cette technologie permet de réaliser des circuits avec des densités d'intégration très importante.
TP2 : MESURES
Caractérisation de différents composants (transistors, diodes...) avec établissement des caractéristiques physiques, identification des différents modes de fonctionnement...
Année 2016/2017
Dernière mise à jour le 06-JUL-16
Validation par le responsable de programme le
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