Duration:
21h
Organization
Scheduled activities
- C1 (1h30) introduction aux semiconducteurs
- C2 (1h30) Jonction PN
- PC1 (1h30) Modélisation de la diode
- C3 (1h30) Transistor à effet de champ
- PC2 (1h30) Modélisation du JFET
- C4 (1h30) Transistor MOS
- PC3 (1h30) Modèle interrupteur et inverseur CMOS
- PC4 (1h30) Limite du modèle du transistor MOS
- C5 (1h30) Laser
- C6 (1h30) Photodiode
- PC6 (1h30) laser
- PC7 (1h30)
- PC5 (1h30) petits exos « applicatifs » (diode, bipolaire, JFET, MOS)
- STP1 (1h30) Principe du transistor bipolaire
Team
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